来源: 国产划片机 发布时间：2021-05-10
高精密划片机制造商对于低k晶圆切割质量评估，除了正面崩角和背面崩角以外，根据实验数据和可靠性结果，规定了下述硅片切割质量指标：
（１）铜密封环不允许出现断裂，分层或其他任何（在200倍显微镜下）可见的损伤。
（２）在划片街区上出现金属与ILD层的分层是允许的，只要这种分层能止步于铜密封环外。
（３）在芯片的顶角区域的金属／ILD层不允许出现分层或损伤，唯一的例外是有封装可靠性数据证明在某种特定的芯片设计／封装结构的组合下芯片的顶角区域的损伤可以接受。
在晶圆的制造过程中，为了获得较高的成品率、较低的制造成本和稳定的工艺制程，每一步工艺都处于严格的监控下。因此，测试图案被设计出来并对其进行监测，以确保关键参数如电参数、制程精度如ILD层／金属层的淀积厚度、掩膜对准精度及金属线宽容差等满足设计要求，通常有三种方式来实现晶圆工艺制程监控：
（a）离线测试，这种测试将所有的测试图案放入被称为“工艺确认晶圆”的特别设计的晶圆上。优点是可以包括所有需要测试的图案，因而可以执行一个全面的工艺制程监控；缺点是高成本和费时。它通常应用在产品的研发初期。当产品技术日趋成熟后，这种测试方法会被其他的测试方法所取代。
（b）测试芯片插入法。所有的测试图案被放入测试芯片内，这些测试芯片被安放在晶圆上的不同区域。测试芯片的数目和位置取决于晶圆制造技术的复杂度。优点是它是一种实时监控。如果某种致命的缺陷发生在晶圆制造流程的早期，就可以避免由于整个晶圆报废而带来的损失。这种测试方法的缺点是它占用了宝贵的硅片资源，尤其是当单个芯片尺寸较大，而PDPW(Potential Die Per Wafer)数目较小的时候。
（c）周边测试，测试图案被放置在划片街区内。将测试图案放在划片街区内能够在实现实时监控的同时，节约了宝贵的硅片资源。可以放进划片街区的测试图案的数目取决于在一个掩膜（Reticle）内划片街区的长度和面积。在一个Reticle内划片街区上的测试图案，会随着步进式光刻的科技进化完成项目。
在一个晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起，我们国产划片机行业正在崛起，得到了国家的重视！划片机来自汉为科技，未来世界看中国制造！
